离子注入工艺
一般掺杂的杂质类别，包括:提供载流子的施主杂质和受主杂质;产生复合中心的重金属杂质 离子注入往往需要生成井well，其中井的定义：晶圆与杂质之间形成的扩散层或杂质与杂质之间形成的扩散层 离子注入的目的：用掺杂改变电导率，一般用于较小制程下 离子注入的优点：可控、低温 离子注入的缺点：晶格损伤
离子注入的各项指标
离子剂量
离子剂量的定义：单位面积硅片表面注入的离子数 离子束电流也称为束流，其定义：离子注入机中正杂质离子形成离子束后的流量
射程
射程的定义：离子注入硅片的总距离 射程的特点：离子注入机能量越高射程越大
投影射程
投影射程的定义：注入离子在硅片中的穿行距离 投影射程取决于离子质量、离子能量、靶的质量、离子束相对晶体结构的方向 投影射程的特性：原子序数越大，原子尺寸越大，存在遮蔽层，则投影射程越小 为什么射程会有极限呢？因为存在离子阻滞 阻滞机制有两种：核阻滞，产生原因是与原子核碰撞；电子阻滞，产生原因是与电子发生反应
核阻止是短程作用，在低能量时主导，效果是有明显的散射；电子阻滞是长程作用，在高能量时主导，效果是离子基本沿原方向运动
沟道效应
沟道效应的产生原因：由于硅长程有序，注入离子未经碰撞穿透了晶格 沟道效应的影响效果：正常情况下，杂质射程应呈正态分布，沟道效应打破了这个分布 沟道效应的抑制方法： 1.遮蔽氧化层也称为掩蔽氧化层牺牲氧化层 2.晶圆倾斜，如<100>方向的晶圆，倾斜角7度 晶圆倾斜的缺点：可能会导致机器件性能不对称 改进方法则是：经常旋转晶圆 3.单晶硅预非晶化 单晶化预非晶化的实现方法：破坏晶圆表面薄膜的晶格原子 缺点：需额外注入高能量的硅或锗，且更加耗时